플라스마 CVD법

플라스마 CVD법

 

고온을 필요로 하는 열CVD법이 갖는 결점을 해결하는 방법의 하나로서, 글로방전 등에 의해 분해생성된 플라스마로 화학반응시켜서 박막을 제작한다.

 

저압가스 속에서 생성한 플라스마는 전자온도가 수만도에 달하지만, 가스온도는 수만도로 낮고 열적비평형상태에 있어 저온플라스마로 불리우고 있다.

 

즉 기체분자는 분해되지 않는 상태에서 전자에는 충분한 에너지가 주어지므로, 화학반응이 효율적으로 진행된다.

 

글로방전법에서는 플라스마 속에 기판을 설치하기 때문에 플라스마에 의한 피막의 손상이 문제가 된다.

 

이 해결을 위해 아르곤, 수소 등의 비성막(非成膜)가스를 마이크로파로 플라스마화하고, 그 에너지로 성막가스의 분해를 하는 방식이 실용화되고 있다. ECR(전자사이클로트론공명)법은 그 일종이다.

 

플라스마CVD법의 적용예는 아모르퍼스실리콘 또는 질화실리콘패시베이션막의 제작이 있다.

 

아모르퍼스실리콘의 제작에는 원료로서 실리콘가스가 쓰인다.